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提煉工業硅的時候80%〜85%的回收率是正常情況
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如果我們假定電爐內區的三種物可以再不同的情況下提煉出來，在工業硅電爐中，SiC和Si在18tm (101.325kPa) 卜達到平衡，因而內區的反應可表述為反應式(3-23),上述反應在空腔及爐 料的內層發生。
當溫度再升高時有以下反應:
2SQ +SiC 3SiO+CO 在電極下有如下反應：
爐料在下降的過程中有反應:
Sio+co =_sg+c
3S1O+CO —=2SiO2 +SiC
在冶煉中，主要反應大部分是在熔池底部料層中完成的
我們假設在外區也達到平衡，其反應式為，
SiO2(s,l)+3C(s)=SiC<s)+2C0(g) (3-26)
我們將根據這些假設得出工藝平衡結果，在內區我們需要3單位SiOz和 2單位SiC。工業硅期貨入門資料，在外區2Si()2+6C產出2單位SiC.為將其消耗在內區需要3單 位SiCh通過外區進到內區.內區產生的氣體經過外區，如果不能同C反應, 則通過外區逸出。工藝顯示從5單位SiC)2中得到1單位Si,意味著硅的回收 率僅為20%。
如果從內區產生的SiO在爐料的上層通過與C反應而得以回收，Si的回 收率將得到提高。為避免Si()2和C直接發生反應，將$02直接加入內區。在 真實的電爐中Sid和C反應速率是比較低的。如上所述在內區需要3單位 SiOz和2單位SiC。2單位SiC產自從內區向外的SiO并消耗4單位C。剰余 SiO則逸出爐外。工藝顯示從3單位SiO?中得到1單位Si,意味著硅的回收 率上升為33%。
如果反應達到平衡，這是最高的回收率。工業硅期貨入門資料，在實際操作中，80%〜85%的回 收率是正常情況，如果原料非常好，達到90%回收率也是可能的.產生如此 差別的原因可能是熱化學數據不準確、工藝遠未達到平衡。
對于SiO2+SiC+Si體系的直接的熱平衡蒸氣壓的測量表明計算的總蒸氣 壓是相當準確的。因此最可能的就是偏離平衡。工業硅期貨入門資料，兩個非平衡工藝可能比較重 要：內區反應速率較低使反應溫度上升、空腔氣體經過外區時被冷卻同時產生 含硅的艇結物。
電爐在不斷加熱，同時如果強吸熱反應的總反應速率太低無法消耗掉這些 熱政，爐溫就會上升。溫度越高.生產游離Si需要越低的SiO含量。
當溫度再升高時有以下反應:
2SQ +SiC 3SiO+CO 在電極下有如下反應：
爐料在下降的過程中有反應:
Sio+co =_sg+c
3S1O+CO —=2SiO2 +SiC
在冶煉中，主要反應大部分是在熔池底部料層中完成的
我們假設在外區也達到平衡，其反應式為，
SiO2(s,l)+3C(s)=SiC<s)+2C0(g) (3-26)
我們將根據這些假設得出工藝平衡結果，在內區我們需要3單位SiOz和 2單位SiC。工業硅期貨入門資料，在外區2Si()2+6C產出2單位SiC.為將其消耗在內區需要3單 位SiCh通過外區進到內區.內區產生的氣體經過外區，如果不能同C反應, 則通過外區逸出。工藝顯示從5單位SiC)2中得到1單位Si,意味著硅的回收 率僅為20%。
如果從內區產生的SiO在爐料的上層通過與C反應而得以回收，Si的回 收率將得到提高。為避免Si()2和C直接發生反應，將$02直接加入內區。在 真實的電爐中Sid和C反應速率是比較低的。如上所述在內區需要3單位 SiOz和2單位SiC。2單位SiC產自從內區向外的SiO并消耗4單位C。剰余 SiO則逸出爐外。工藝顯示從3單位SiO?中得到1單位Si,意味著硅的回收 率上升為33%。
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對于SiO2+SiC+Si體系的直接的熱平衡蒸氣壓的測量表明計算的總蒸氣 壓是相當準確的。因此最可能的就是偏離平衡。工業硅期貨入門資料，兩個非平衡工藝可能比較重 要：內區反應速率較低使反應溫度上升、空腔氣體經過外區時被冷卻同時產生 含硅的艇結物。
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